CIFRE - EPITAXIE : Développement de procédés d’épitaxie innovants pour créer de nouvelles opportunités d’architectures de dispositifs semi-conducteurs avancés - F/H

A propos de vos missions

Dans le cadre du développement de nouveaux produits, les travaux de recherche porteront sur l’optimisation et le développement de procédés d’épitaxie innovants et leur intégration dans des dispositifs technologiques avancés afin d’en optimiser les performances.

Un focus particulier sera mis sur la compréhension des mécanismes d’incorporation des dopants durant l’épitaxie, afin de garantir un contrôle précis de ceux-ci. 

L’étude couvrira plusieurs axes de recherches :

• Développer des procédés d’épitaxie innovants, les intégrer dans des dispositifs avancés et optimiser les paramètres process selon les performances électriques obtenues.
• Étudier les mécanismes fondamentaux d’incorporation des dopants (type p et n) lors de l’épitaxie (Si ou alliages à base de Si) sur substrats semi-conducteurs (Si, SOI).
• Caractériser les effets des conditions de croissance (température, pression, flux des précurseurs) sur la diffusion et l’activation des dopants. Pour cela, des techniques avancées de caractérisation (SIMS, TEM, Sonde Tomographique, C-V profiling, Hall effect) seront mises en œuvre.
• Modéliser la dynamique d’incorporation et de diffusion des dopants dans les couches épitaxiées pour prédire et optimiser les profils dopants de t0 à la fin du procédé de fabrication.

 Afin de réaliser cette thèse, le/la doctorant(e) aura à sa disposition :

• Un parc de 8 réacteurs RP-CVD d’Applied Materials utilisés pour l’épitaxie.
• Des techniques de métrologie et de caractérisation physico-chimiques, en interne dans nos laboratoires ou en externe (laboratoires partenaires).
• Des lots de production ou d’engineering qui embarqueront les structures épitaxiées innovantes.

Le/la candidat(e) sera intégré(e) dans le module Engineering CVD de STMicroelectronics Rousset, plus spécifiquement dans l’équipe Epitaxie comprenant 2 ingénieurs process, 2 ingénieurs équipement, des techniciens process et maintenance. 

Il/elle travaillera en collaboration avec les différents ateliers (gravure, diffusion, photo-lithographie, implant, etc), les équipes R&D et Device (qui s’occupent des simulations électriques, de l’intégration dans les dispositifs et des mesures électriques), les équipes de métrologie et de caractérisation physico-chimique, ainsi que les entités Epitaxie et Device de STMicroelectronics Crolles.

La mission requiert de réaliser soi-même les expériences (après formation sur les équipements) et d’être force d’analyse, de proposition et de synthèse. 

A propos de vous

• Diplômé(e) d'une école d'Ingénieur généraliste ou spécialisé, vous avez idéalement des connaissances en physico-chimie des matériaux et/ou micro-électronique. 
• Vous avez une maitrise de l’anglais scientifique.
• Curiosité technique et scientifique, rigueur, autonomie et engagement vous permettront de réussir dans cette thèse.